5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.82 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 160 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.4 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD637R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-71 |
|
| 2SD637S | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC |
|
| 2SD638 | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon NPN epitaxial planer type(For medium-power general amplification) |
|
| 2SD638Q | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, M-A1, 3 |
|
| 2SD638R | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, M-A1, 3 |
|
| 2SD638S | PANASONIC |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2SD639 | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon PNP epitaxial planer type(For low-power general amplification) |
|
| 2SD639Q | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, M-A1, 3 |
|
| 2SD639R | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, M-A1, 3 |
|
| 2SD639S | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, M-A1, 3 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
