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2SD2560O

更新时间： 2024-11-18 14:49:35

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急速微 - ALLEGRO		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	24K
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Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-3P, 3 PIN

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2SD2560O 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.39	最大集电极电流 (IC)：	15 A
集电极-发射极最大电压：	150 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	5000	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	70 MHz	Base Number Matches：	1

2SD2560O 数据手册

Equivalent circuit

Darlington 2 S D2 5 6 0

(70Ω)

Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SB1647)

Absolute maximum ratings (Ta=25°C) Electrical Characteristics

Application : Audio, Series Regulator and General Purpose

External Dimensions MT-100(TO3P)

■

(Ta=25°C)

Symbol

V^CBO

VCEO

VEBO

Symbol

2SD2560

100max

150min

5000min

2.5max

3.0max

70typ

2SD2560

Unit

Conditions

Unit

µA

±0.2

4.8

±0.4

15.6

I^CBO

150

V^CB=150V

±0.1

2.0

9.6

IEBO

150

V^EB=5V

V(BR)CEO

hFE

I^C=30mA

±0.1

ø3.2

V^CE=4V, IC=10A

I^C=10A, IB=10mA

V^CE=12V, IE=–2A

V^CB=10V, f=1MHz

VCE(sat)

VBE(sat)

130(Tc=25°C)

150

°C

MHz

Tstg

COB

120typ

–55to+150

+0.2

-0.1

+0.2

-0.1

1.05

0.65

1.4

hFE Rank O(5000 to 12000), P(6500 to 20000), Y(15000 to 30000)

■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)

±0.1

5.45

Weight : Approx 6.0g

a. Type No.

V^CC

(V)

(Ω)

(A)

VBB1

(V)

V^BB2

(V)

I^B1

(mA)

IB2

(mA)

ton

(µs)

tstg

(µs)

b. Lot No.

–5

–10

0.8typ

4.0typ

1.2typ

–

IC VBE Temperature Characteristics (Typical)

IC VCE Characteristics (Typical)

VCE(sat) IB Characteristics (Typical)

(VCE=4V)

10mA

3mA

0.5mA

IC=.15A

IC=.10A

IC=.5A

I^B=0.3mA

0.2

0.5

50 100 200

2.2

Collector-Emitter Voltage V^CE(V)

Base Current IB(mA)

Base-Emittor Voltage VBE(V)

–

j-a t Characteristics

h^FEI^CTemperature Characteristics (Typical)

h^FEI^CCharacteristics (Typical)

(VCE=4V)

3.0

50000

Typ

1.0

0.5

10000

5000

10000

5000

1000

500

1000

500

0.1

100

Time t(ms)

1000 2000

0.5

10 15

0.5

10 15

Collector Current IC(A)

–

Safe Operating Area (Single Pulse)

fT IE Characteristics (Typical)

–

Pc Ta Derating

(VCE=12V)

130

100

Without Heatsink

3.5

–0.02 –0.05 –01

–0.5 –1

–5 –10

100

125

150

Ambient Temperature Ta(˚C)

Emitter Current I^E(A)

158

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