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2SD2562

更新时间： 2024-11-18 20:30:19

品牌	Logo	应用领域
急速微 - ALLEGRO		局域网放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	23K
描述
Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-3PF, 3 PIN

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2SD2562 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-3PF
包装说明：	TO-3PF, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.39	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	15 A
集电极-发射极最大电压：	150 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	5000	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	70 MHz	Base Number Matches：	1

2SD2562 数据手册

Equivalent circuit

Darlington 2 S D2 5 6 2

(70Ω)

Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SB1649)

Application : Audio, Series Regulator and General Purpose

■Absolute maximum ratings

■Electrical Characteristics

(Ta=25°C)

External Dimensions FM100(TO3PF)

(Ta=25°C)

Symbol

2SD2562

Symbol

I^CBO

Conditions

2SD2562

100max

150min

5000min

2.5max

3.0max

70typ

Unit

µA

Unit

±0.2

5.5

±0.2

15.6

V^CBO

VCEO

VEBO

150

V^CB=150V

±0.2

3.45

IEBO

150

V^EB=5V

V(BR)CEO

hFE

I^C=30mA

±0.2

ø3.3

V^CE=4V, IC=10A

I^C=10A, IB=10mA

V^CE=12V, IE=–2A

V^CB=10V, f=1MHz

VCE(sat)

VBE(sat)

85(Tc=25°C)

150

°C

MHz

1.75

2.15

0.8

COB

120typ

Tstg

–55 to +150

+0.2

-0.1

1.05

hFE Rank O(5000 to 12000), P(6500 to 20000), Y(15000 to 30000)

■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)

+0.2

±0.1

1.5

±0.1

0.65

-0.1

5.45

1.5

3.35

4.4

Weight : Approx 6.5g

a. Type No.

b. Lot No.

V^CC

(V)

(Ω)

(A)

VBB1

(V)

V^BB2

(V)

I^B1

(mA)

IB2

(mA)

ton

(µs)

tstg

(µs)

–5

–10

0.8typ

4.0typ

1.2typ

–

IC VBE Temperature Characteristics (Typical)

I^CV^CECharacteristics (Typical)

VCE(sat) IB Characteristics (Typical)

(VCE=4V)

10mA

3mA

0.5mA

IC=.15A

IC=.10A

IC=.5A

I^B=0.3mA

0.2

0.5

50 100 200

2.2

Collector-Emitter Voltage V^CE(V)

Base Current IB(mA)

Base-Emittor Voltage V^BE(V)

–

j-a t Characteristics

h^FEI^CTemperature Characteristics (Typical)

h^FEI^CCharacteristics (Typical)

(VCE=4V)

3.0

50000

Typ

1.0

0.5

10000

5000

10000

5000

1000

500

1000

500

0.1

100

Time t(ms)

1000 2000

0.5

10 15

0.5

10 15

Collector Current IC(A)

–

Safe Operating Area (Single Pulse)

–

fT IE Characteristics (Typical)

Pc Ta Derating

(VCE=12V)

100

Without Heatsink

3.5

–0.02 –0.05 –01

–0.5 –1

–5 –10

100

125

150

Emitter Current I^E(A)

Ambient Temperature Ta(˚C)

160

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