2SD2579

更新时间： 2024-11-20 07:31:47

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	65K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD2579 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

2SD2579 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD2579

DESCRIPTION

·With TO-3PML package

·High speed

·High breakdown voltage

·High reliability

APPLICATIONS

·Color TV horizontal deflection output

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3PML) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

1500

Open base

800

Open collector

I_CM

Collector current-peak

T_C=25℃

P_C

Collector power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_stg

12 3 4

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