5秒后页面跳转
2SD2571 PDF预览

2SD2571

更新时间: 2024-11-19 22:52:47
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体开关晶体管功率双极晶体管脉冲驱动局域网高功率电源
页数 文件大小 规格书
2页 95K
描述
NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (HIGH POWER SWITCHING, HAMMER DRIVE, PULSE MOTOR DRIVE APPLICATIONS)

2SD2571 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:SC-67
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.46
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):2 A集电极-发射极最大电压:85 V
配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):1000
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):2 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SD2571 数据手册

 浏览型号2SD2571的Datasheet PDF文件第2页 

与2SD2571相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD2573 PANASONIC

获取价格

Silicon NPN triple diffusion planar type
2SD2573P ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126VAR
2SD2573Q ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126VAR
2SD2573R ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126VAR
2SD2575 PANASONIC

获取价格

Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency power amplification)
2SD2576 ROHM

获取价格

Power Transistor
2SD2576F ROHM

获取价格

Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220, Plastic/
2SD2578 SAVANTIC

获取价格

Silicon NPN Power Transistors
2SD2578 ISC

获取价格

Silicon NPN Power Transistors
2SD2578 SANYO

获取价格

Color TV Horizontal Deflection Output Applications