Datasheet > 2SD2560Y

2SD2560Y

更新时间： 2024-11-18 20:33:59

品牌	Logo	应用领域
急速微 - ALLEGRO		/
页数	文件大小	规格书
1页	24K
描述
Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-3P, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SD2560Y 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.39	最大集电极电流 (IC)：	15 A
集电极-发射极最大电压：	150 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	15000	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	70 MHz	Base Number Matches：	1

2SD2560Y 数据手册

Equivalent circuit

Darlington 2 S D2 5 6 0

(70Ω)

Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SB1647)

Absolute maximum ratings (Ta=25°C) Electrical Characteristics

Application : Audio, Series Regulator and General Purpose

External Dimensions MT-100(TO3P)

■

(Ta=25°C)

Symbol

V^CBO

VCEO

VEBO

Symbol

2SD2560

100max

150min

5000min

2.5max

3.0max

70typ

2SD2560

Unit

Conditions

Unit

µA

±0.2

4.8

±0.4

15.6

I^CBO

150

V^CB=150V

±0.1

2.0

9.6

IEBO

150

V^EB=5V

V(BR)CEO

hFE

I^C=30mA

±0.1

ø3.2

V^CE=4V, IC=10A

I^C=10A, IB=10mA

V^CE=12V, IE=–2A

V^CB=10V, f=1MHz

VCE(sat)

VBE(sat)

130(Tc=25°C)

150

°C

MHz

Tstg

COB

120typ

–55to+150

+0.2

-0.1

+0.2

-0.1

1.05

0.65

1.4

hFE Rank O(5000 to 12000), P(6500 to 20000), Y(15000 to 30000)

■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)

±0.1

5.45

Weight : Approx 6.0g

a. Type No.

V^CC

(V)

(Ω)

(A)

VBB1

(V)

V^BB2

(V)

I^B1

(mA)

IB2

(mA)

ton

(µs)

tstg

(µs)

b. Lot No.

–5

–10

0.8typ

4.0typ

1.2typ

–

IC VBE Temperature Characteristics (Typical)

IC VCE Characteristics (Typical)

VCE(sat) IB Characteristics (Typical)

(VCE=4V)

10mA

3mA

0.5mA

IC=.15A

IC=.10A

IC=.5A

I^B=0.3mA

0.2

0.5

50 100 200

2.2

Collector-Emitter Voltage V^CE(V)

Base Current IB(mA)

Base-Emittor Voltage VBE(V)

–

j-a t Characteristics

h^FEI^CTemperature Characteristics (Typical)

h^FEI^CCharacteristics (Typical)

(VCE=4V)

3.0

50000

Typ

1.0

0.5

10000

5000

10000

5000

1000

500

1000

500

0.1

100

Time t(ms)

1000 2000

0.5

10 15

0.5

10 15

Collector Current IC(A)

–

Safe Operating Area (Single Pulse)

fT IE Characteristics (Typical)

–

Pc Ta Derating

(VCE=12V)

130

100

Without Heatsink

3.5

–0.02 –0.05 –01

–0.5 –1

–5 –10

100

125

150

Ambient Temperature Ta(˚C)

Emitter Current I^E(A)

158

中文翻译

下载PDF

与2SD2560Y相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD2561	SANKEN	获取价格	Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Audio, Series Regulator and General Purpose)
2SD2561	ISC	获取价格	Silicon NPN Darlington Power Transistors
2SD2561_01	SANKEN	获取价格	Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor
2SD2561O	SANKEN	获取价格	暂无描述
2SD2561P	ISC	获取价格	暂无描述
2SD2561P	SANKEN	获取价格	暂无描述
2SD2561Y	ISC	获取价格	Transistor
2SD2561Y	SANKEN	获取价格	Power Bipolar Transistor, 17A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SD2562	ALLEGRO	获取价格	Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SD2562	SANKEN	获取价格	Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor

与2SD2560Y相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

37

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SD2560Y

2SD2560Y 技术参数

2SD2560Y 数据手册

与2SD2560Y相关器件

与2SD2560Y相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SD2560Y

2SD2560Y 技术参数

2SD2560Y 数据手册

与2SD2560Y相关器件

与2SD2560Y相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？