2SD2561P

更新时间： 2024-11-18 13:04:23

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管放大器局域网
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2SD2561P 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Darlington Power Transistors

2SD2561

DESCRIPTION

·With MT-200 package

·Complement to type 2SB1648

APPLICATIONS

·Audio ,series regulator and general purpose

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

150

UNIT

Collector-base voltage

Open emitter

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Open base

Open collector

I_B

Base current

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

200

150

-55~150

℃

T_j

T_stg

12 3

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