2SD2561

更新时间： 2024-11-20 22:40:27

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三垦 - SANKEN		晶体稳压器晶体管功率双极晶体管放大器局域网
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Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Audio, Series Regulator and General Purpose)

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2SD2561 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	MT-200, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.69
Is Samacsys：	N	其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)：	17 A	集电极-发射极最大电压：	150 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	5000
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	70 MHz
Base Number Matches：	1

2SD2561 数据手册

Equivalent circuit

Darlington 2 S D2 5 6 1

(70Ω)

Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SB1648)

Absolute maximum ratings (Ta=25°C) Electrical Characteristics

Application : Audio, Series Regulator and General Purpose

(Ta=25°C)

■

External Dimensions MT-200

Symbol

I^CBO

Symbol

V^CBO

VCEO

VEBO

Conditions

2SD2561

Unit

µA

Unit

±0.2

6.0

±0.3

±0.2

36.4

V^CB=150V

100max

150min

5000min

2.5max

3.0max

70typ

150

24.4

2.1

IEBO

V^EB=5V

±0.1

2-ø3.2

150

V(BR)CEO

hFE

I^C=30mA

V^CE=4V, IC=10A

I^C=10A, IB=10mA

V^CE=12V, IE=–2A

V^CB=10V, f=1MHz

VCE(sat)

VBE(sat)

200(Tc=25°C)

150

°C

MHz

+0.2

-0.1

0.65

+0.2

-0.1

COB

Tstg

120typ

–55 to +150

1.05

+0.3

-0.1

hFE Rank O(5000 to 12000), P(6500 to 20000), Y(15000 to 30000)

■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)

3.0

±0.1

5.45

Weight : Approx 18.4g

a. Type No.

V^CC

(V)

(Ω)

(A)

VBB1

(V)

V^BB2

(V)

I^B1

(mA)

IB2

(mA)

ton

(µs)

tstg

(µs)

b. Lot No.

–5

–10

0.8typ

4.0typ

1.2typ

–

IC VBE Temperature Characteristics (Typical)

IC VCE Characteristics (Typical)

VCE(sat) IB Characteristics (Typical)

(VCE=4V)

10mA

IC=.15A

IC=.10A

0.5mA

IC=.5A

_IB=0.3mA

0.2

0.5

50 100 200

2.6

Collector-Emitter Voltage V^CE(V)

Base Current IB(mA)

Base-Emittor Voltage VBE(V)

–

j-a t Characteristics

h^FEI^CCharacteristics (Typical)

h^FEI^CTemperature Characteristics (Typical)

(VCE=4V)

50000

Typ

10000

5000

10000

5000

0.5

1000

500

1000

500

0.1

100

Time t(ms)

1000 2000

0.5

Collector Current IC(A)

–

f^TIE Characteristics (Typical)

Safe Operating Area (Single Pulse)

–

Pc Ta Derating

(VCE=12V)

200

160

120

Without Heatsink

–0.02

–0.1

–1

–10

100

125

150

Ambient Temperature Ta(˚C)

Emitter Current I^E(A)

159

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2SD2561 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2SC4153	SANKEN	功能相似	Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Humidifier, DC-DC Converter, and General Pur
2SD2560	SANKEN	功能相似	Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Audio, Series Regulator and General Purpose)
2SC3851	SANKEN	功能相似	Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor(Audio and PPC High Voltage Power Supply, and Gener

与2SD2561相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD2561_01	SANKEN	获取价格	Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor
2SD2561O	SANKEN	获取价格	暂无描述
2SD2561P	ISC	获取价格	暂无描述
2SD2561P	SANKEN	获取价格	暂无描述
2SD2561Y	ISC	获取价格	Transistor
2SD2561Y	SANKEN	获取价格	Power Bipolar Transistor, 17A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SD2562	ALLEGRO	获取价格	Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SD2562	SANKEN	获取价格	Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor
2SD2562	ISC	获取价格	Silicon NPN Darlington Power Transistor
2SD2562O	SANKEN	获取价格	暂无描述

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