2SD2562

更新时间： 2024-11-17 07:31:47

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描述
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor

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2SD2562 数据手册

Equivalent circuit

Darlington 2 S D2 5 6 2

(70Ω)

Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SB1649)

Application : Audio, Series Regulator and General Purpose

■Absolute maximum ratings

■Electrical Characteristics

(Ta=25°C)

External Dimensions FM100(TO3PF)

(Ta=25°C)

Symbol

Ratings

Symbol

I^CBO

Conditions

Ratings

100max

150min

5000min

2.5max

3.0max

70typ

Unit

µA

Unit

±0.2

5.5

±0.2

15.6

V^CBO

VCEO

VEBO

150

V^CB=150V

±0.2

3.45

IEBO

150

V^EB=5V

V(BR)CEO

hFE

I^C=30mA

±0.2

ø3.3

V^CE=4V, IC=10A

I^C=10A, IB=10mA

V^CE=12V, IE=–2A

V^CB=10V, f=1MHz

VCE(sat)

VBE(sat)

85(Tc=25°C)

150

°C

MHz

1.75

2.15

0.8

COB

120typ

Tstg

–55 to +150

+0.2

-0.1

1.05

hFE Rank O(5000 to 12000), P(6500 to 20000), Y(15000 to 30000)

■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)

+0.2

±0.1

1.5

±0.1

0.65

-0.1

5.45

1.5

3.35

4.4

Weight : Approx 6.5g

a. Part No.

b. Lot No.

V^CC

(V)

(Ω)

(A)

VBB1

(V)

V^BB2

(V)

I^B1

(mA)

IB2

(mA)

ton

(µs)

tstg

(µs)

–5

–10

0.8typ

4.0typ

1.2typ

–

IC VBE Temperature Characteristics (Typical)

I^CV^CECharacteristics (Typical)

VCE(sat) IB Characteristics (Typical)

(VCE=4V)

10mA

3mA

0.5mA

IC=.15A

IC=.10A

IC=.5A

I^B=0.3mA

0.2

0.5

50 100 200

2.2

Collector-Emitter Voltage VCE(V)

Base Current IB(mA)

Base-Emittor Voltage V^BE(V)

–

^j-at Characteristics

h^FEI^CTemperature Characteristics (Typical)

h^FEI^CCharacteristics (Typical)

(VCE=4V)

3.0

50000

Typ

1.0

0.5

10000

5000

10000

5000

1000

500

1000

500

0.1

100

Time t(ms)

1000 2000

0.5

10 15

0.5

10 15

Collector Current IC(A)

–

Safe Operating Area (Single Pulse)

–

fT IE Characteristics (Typical)

Pc Ta Derating

(VCE=12V)

100

0.5

Without Heatsink

Natural Cooling

0.1

Without Heatsink

3.5

0.05

–0.02 –0.05 –01

–0.5 –1

–5 –10

100

200

100

125

150

Emitter Current I^E(A)

Collector-Emitter Voltage VCE(V)

Ambient Temperature Ta(˚C)

158

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2SD2562 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2SC4300	SANKEN	类似代替	Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Switching Regulator and General Purpose)
2SA1907	SANKEN	类似代替	Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(Audio and General Purpose)
2SD2560	SANKEN	类似代替	Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Audio, Series Regulator and General Purpose)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD2562O	SANKEN	获取价格	暂无描述
2SD2562O	ISC	获取价格	暂无描述
2SD2562P	SANKEN	获取价格	Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SD2562Y	SANKEN	获取价格	Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SD2565	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN triple diffusion planer type(For high voltage-withstand switching)
2SD2568	ROHM	获取价格	Power Transistor (400V, 0.5A)
2SD2568TLP	ROHM	获取价格	Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy
2SD257	ETC	获取价格	NPN Transistor
2SD2571	TOSHIBA	获取价格	NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (HIGH POWER SWITCHING, HAMMER DRIVE, PULSE MOTOR DRIVE APPLICATIO
2SD2573	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN triple diffusion planar type

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