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2SD2150-S

更新时间： 2024-09-16 01:17:35
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC /
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3页 725K
描述
NPN Plastic-Encapsulate Transistors

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2SD2150-S 数据手册

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M C C  
R
Micro Commercial Components  
2SD2150-R  
2SD2150-S  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Features  
·
•
•
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
Excellent current-to-gain characteristics  
Low collector saturation voltage VCE(sat)  
NPN  
Plastic-Encapsulate  
ꢀ
•
Lead Free Finish/Rohs Compliant ("P"Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisture Sensitivity Level 1  
Transistors  
·
·
Maximum Ratings  
SOT-89  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Rating  
20  
40  
Unit  
V
V
6.0  
V
A
K
B
Collector Current -Continuous  
3.0  
A
PC  
TJ  
TSTG  
Collector dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
500  
-55 to +150  
-55 to +150  
mW  
OC  
OC  
E
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
C
Symbol  
Parameter  
Min  
Typ Max  
Units  
D
OFF CHARACTERISTICS  
G
H
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=50µAdc, IE=0)  
40  
20  
6.0  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
J
F
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=1.0mAdc,IB=0)  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IE=50µAdc, IC=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCB=30Vdc,IE=0)  
---  
Vdc  
0.1  
0.1  
µAdc  
µAdc  
1
2
3
IEBO  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=5.0Vdc, IC=0)  
1. Base  
2. Collector  
3. Emitter  
ON CHARACTERISTICS  
hFE  
DC Current Gain  
(I =100mAdc,VCE=2.0Vdc)  
C
180  
---  
560  
0.5  
---  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢁꢄꢅꢆ  
VCE(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Vdc  
ꢈꢀꢇꢆ  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆ  
ꢇꢇꢆ  
ꢁꢋꢌꢄꢅꢆ  
ꢆ
(IC=2.0Adc, I B=0.1Adc)  
ꢇꢀꢁꢆ  
ꢇꢉꢊꢆ  
ꢇꢀꢁꢆ  
ꢒꢍꢐꢓꢆ  
1.55  
ꢇꢉꢊꢆ  
ꢒꢍꢔꢕꢆ  
ꢇꢇꢇꢇꢇ  
ꢉꢆ  
ꢖ
ꢍꢎꢏꢐꢆ  
ꢍꢎꢑꢎꢆ  
fT  
Gain-Bandwidth product  
(VCE=2V, IC=500mA, f=100MHz )  
Out Capacitance  
.061  
ꢇꢇꢇꢇꢇ  
REF.  
ꢆ
---  
---  
290  
25  
---  
---  
MHz  
pF  
ꢂꢆ  
ꢈꢆ  
ꢄꢆ  
ꢙꢆ  
ꢝꢆ  
ꢃꢆ  
ꢞꢆ  
ꢍꢎꢗꢒꢆ  
ꢍꢕꢐꢎꢆ  
ꢍꢕꢓꢘꢆ  
ꢍꢎꢎꢑꢆ  
ꢍꢕꢎꢐꢆ  
ꢍꢕꢎꢗꢆ  
ꢍꢕꢎꢗꢆ  
ꢍꢕꢗꢗꢆ  
ꢍꢎꢔꢗꢆ  
ꢍꢕꢐꢓꢆ  
ꢍꢎꢕꢕꢆ  
ꢚꢚꢚꢚꢚꢆ  
ꢍꢕꢎꢓꢆ  
ꢍꢕꢘꢎꢆ  
ꢍꢕꢎꢔꢆ  
ꢍꢕꢔꢐꢆ  
ꢐꢍꢓꢎꢆ  
ꢕꢍꢑꢕꢆ  
ꢘꢍꢐꢒꢆ  
ꢐꢍꢕꢕꢆ  
ꢕꢍꢐꢐꢆ  
ꢕꢍꢐꢑꢆ  
ꢕꢍꢐꢑꢆ  
ꢎꢍꢒꢕꢆ  
ꢒꢍ25ꢆ  
ꢎꢍꢕꢕꢆ  
ꢘꢍꢗꢒꢆ  
ꢚꢚꢚꢚꢚꢆ  
ꢆ
Cob  
ꢆ
ꢌꢛꢜꢆ  
(VCB=10V, f=1.0MHz,IE=0)  
ꢕꢍꢒꢑꢆ  
ꢕꢍꢗꢐꢆ  
ꢕꢍꢒꢎꢆ  
ꢎꢍꢔꢕꢆ  
ꢆ
ꢆ
ꢆ
ꢆ
hFE CLASSIFICATION  
Rank  
 ꢆ  
R
S
Range  
270-560  
180-390  
CFR  
Marking  
CFS  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: A  
2017/01/14  
123

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与2SD2150-S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD2150S-G WEITRON

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 		Transistor
2SD2150-SOT-89 CJ

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 		TRANSISTOR NPN)
2SD2150T100/Q ROHM

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 		3000mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2150T100/QR ROHM

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 		3000mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2150T100/QS ROHM

获取价格

 		3000mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2150T100/R ROHM

获取价格

 		3000mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPT3, SC-62, 3 PIN
2SD2150T100/RS ROHM

获取价格

 		3000mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2150T100QR ROHM

获取价格

 		暂无描述
2SD2150T100QS ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SD2150T100R ROHM

获取价格

 		Low Frequency Transistor (20V, 3A)

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