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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.26 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 20 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 180 | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| JESD-609代码： | e2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN COPPER |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 290 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD2150T100QR | ROHM |
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暂无描述 |
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| 2SD2150T100QS | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SD2150T100R | ROHM |
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Low Frequency Transistor (20V, 3A) |
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| 2SD2150T100RS | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SD2150T100S | ROHM |
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Low Frequency Transistor (20V, 3A) |
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| 2SD2150T101/Q | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SD2150T101/QS | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SD2150T101/R | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SD2150T101/RS | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SD2150T101Q | ROHM |
获取价格 |
3000mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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