5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.26 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 20 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 180 | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| JESD-609代码： | e2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN COPPER | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD2150U | SWST |
获取价格 |
功率三极管 |
|
| 2SD2151 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2SD2151 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2SD2151 | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon NPN epitaxial planar type(For power switching) |
|
| 2SD2151P | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 10A I(C) | SOT-186 |
|
| 2SD2151Q | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 10A I(C) | SOT-186 |
|
| 2SD2152 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 |
|
| 2SD2152 | CJ |
获取价格 |
TO-92 |
|
| 2SD2152/Q | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 |
|
| 2SD2152/QR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
