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2SD2152/QR

更新时间: 2024-11-18 18:54:03
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罗姆 - ROHM 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 105K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

2SD2152/QR 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.84
最大集电极电流 (IC):3 A集电极-发射极最大电压:20 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):120
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):290 MHz
VCEsat-Max:1 VBase Number Matches:1

2SD2152/QR 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD2152/R ROHM

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