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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.81 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 25 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 1200 | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| JESD-609代码： | e2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Copper (Sn/Cu) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD2153_09 | ROHM |
获取价格 |
High gain amplifier transistor (25V, 2A) |
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| 2SD2153_15 | SECOS |
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NPN Plastic Encapsulated Transistor |
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| 2SD2153E | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 2A I(C) | SC-62 |
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| 2SD2153T100/E | ROHM |
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2000mA, 25V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SD2153T100/EU | ROHM |
获取价格 |
2000mA, 25V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SD2153T100/UV | ROHM |
获取价格 |
2000mA, 25V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SD2153T100U | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SC-62, 3 |
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| 2SD2153T100UW | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SD2153T100V | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SC-62, 3 |
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| 2SD2153T100VW | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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