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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SD2153
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2SD2153

更新时间： 2024-11-20 22:52:47
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体放大器小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 53K
描述
High gain amplifier transistor (25V, 2A)

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2SD2153 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.22
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：25 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：390
JESD-30 代码：R-PSSO-F3JESD-609代码：e2
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SD2153 数据手册

  
2SD2153  
Transistors  
High gain amplifier transistor (25V, 2A)  
2SD2153  
!External dimensions (Units : mm)  
!Features  
1) Low saturation voltage,  
4.0  
typically VCE(sat) = 0.12V at IC = IB = 1A / 20mA  
2) Excellent DC current gain characteristics.  
1.0  
2.5  
0.5  
( )  
1
(
)
2
3
(
)
(1) Base  
(2) Collector  
(3) Emitter  
ROHM : MPT3  
EIAJ : SC-62  
!Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
Unit  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
30  
25  
V
V
6
V
2
A(DC)  
A(Pulse)  
W
Collector current  
IC  
3
0.5  
∗
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
Single pulse, Pw=10ms  
PC  
Tj  
150  
°C  
°C  
Tstg  
−55 ∼ +150  
∗
!Packaging specifications and hFE  
Type  
2SD2153  
Package  
MPT3  
UVW  
hFE  
Marking  
Code  
Basic ordering unit (pieces)  
DN  
∗
T100  
1000  
∗Denotes hFE  
!Electrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
30  
25  
6
−
−
−
−
−
0.12  
−
−
−
V
V
I
I
I
C
C
E
= 50µA  
= 1mA  
= 50µA  
CB = 20V  
EB = 5V  
V
I
CBO  
−
−
−
560  
−
0.5  
0.5  
0.5  
2700  
−
µA  
µA  
V
V
V
Emitter cutoff current  
Collector-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
I
EBO  
V
CE(sat)  
I
C/I  
B
= 1A/20mA  
= 6V/0.5A  
∗
hFE  
−
110  
22  
−
MHz  
pF  
V
V
V
CE/I  
C
Transition frequency  
f
T
CE = 10V , I  
CB = 10V , I  
E
= −10mA , f= 100MHz  
= 0A , f = 1MHz  
Output capacitance  
Cob  
−
−
E
∗
Measured using pulse current.  
1

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