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2SD2153T100U PDF预览

2SD2153T100U

更新时间： 2024-01-10 04:08:11
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 154K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SC-62, 3 PIN

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2SD2153T100U 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-62
包装说明：SC-62, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75Factory Lead Time：13 weeks
风险等级：1.62外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：25 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：560
JESD-30 代码：R-PSSO-F3JESD-609代码：e2
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：2 W
最大功率耗散 (Abs)：0.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Copper (Sn/Cu)端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：110 MHzVCEsat-Max：0.5 V
Base Number Matches：1

2SD2153T100U 数据手册

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High gain amplifier transistor (25V, 2A)  
2SD2153  
Features  
Dimensions (Unit : mm)  
1) Low saturation voltage,  
typically VCE(sat) = 0.12V at IC = IB = 1A / 20mA  
2) Excellent DC current gain characteristics.  
4.0  
1.0  
2.5  
0.5  
( )  
1
(
)
2
3
(
)
(1) Base  
(2) Collector  
(3) Emitter  
ROHM : MPT3  
EIAJ : SC-62  
Absolute maximum ratings (Ta=25C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
30  
25  
6
Unit  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
V
V
V
2
A(DC)  
A(Pulse)  
Collector current  
IC  
∗1  
3
0.5  
2
Collector power dissipation  
P
C
W
∗2  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
Tstg  
−55 to +150  
∗1  
Single pulse, Pw=10ms  
Mounted on a 40 40+ t0.7mm Ceramic substrate  
+
∗2  
Packaging specifications and hFE  
Type  
2SD2153  
Package  
MPT3  
UVW  
hFE  
Marking  
Code  
DN  
∗
T100  
1000  
Basic ordering unit (pieces)  
∗ Denotes hFE  
Electrical characteristics (Ta=25C)  
Parameter  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
Min.  
30  
25  
6
Typ.  
−
−
−
−
−
0.12  
−
110  
22  
Max.  
−
−
Unit  
V
Conditions  
I
I
I
C
C
E
=50μA  
=1mA  
=50μA  
CB =20V  
EB =5V  
V
−
V
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−
−
−
820  
−
0.5  
0.5  
0.5  
1800  
−
μA  
μA  
V
V
V
Emitter cutoff current  
I
∗
Collector-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
V
I
C/I  
B
=1A/20mA  
h
−
MHz  
pF  
V
V
V
CE/IC =6V/0.5A  
CE =10V,I  
CB =10V,I  
Transition frequency  
f
T
E
E
=−10mA ,f= 100MHz  
=0A ,f =1MHz  
Output capacitance  
Cob  
−
−
∗
Measured using pulse current.  
www.rohm.com  
2009.12 - Rev.B  
1/2  
c
○ 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
123

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2SD2153T100U 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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