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2SD2153T100V

更新时间： 2024-11-18 15:43:55
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 1435K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SC-62, 3 PIN

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2SD2153T100V 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-62
包装说明：SC-62, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75Factory Lead Time：13 weeks
风险等级：1.01Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：25 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：820JESD-30 代码：R-PSSO-F3
JESD-609代码：e2湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：2 W最大功率耗散 (Abs)：0.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：TIN COPPER
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：110 MHz
VCEsat-Max：0.5 VBase Number Matches：1

2SD2153T100V 数据手册

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2SD2153  
High gain amplifier transistor (25V / 2A)  
Datasheet  
lOutline  
SOT-89  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Parameter  
Value  
25V  
2A  
SC-62  
ꢀ
V
CEO  
ꢀ
I
C
ꢀ
MPT3  
ꢀ
llFeatures  
llInner circuit  
1)Low saturation voltage.  
ꢀtypically V =120mV at I /I =1A/20mA  
CE(sat) C B  
2)High DC current gain  
llApplication  
LOW FREQUENCY POWER AMP  
llPackaging specifications  
Basic  
ordering Marking  
unit.(pcs)  
Package  
size  
Taping Reel size Tape width  
Part No.  
Package  
code  
(mm)  
(mm)  
SOT-89  
(MPT3)  
2SD2153  
4540  
T100  
180  
12  
1000  
DN  
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
www.rohm.com  
© 2016 ROHMCo., Ltd. All rights reserved.  
1/6  
20160129 - Rev.001  
12345678

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2SD2153T100V 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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2SD2153T101/U ROHM

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 		暂无描述
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