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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 20 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 270 |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD2153 | ROHM |
获取价格 |
High gain amplifier transistor (25V, 2A) |
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| 2SD2153 | KEXIN |
获取价格 |
High Gain Amplifier Transistor |
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| 2SD2153 | TYSEMI |
获取价格 |
Low saturation voltage. Excellent DC current gain characteristics. |
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| 2SD2153 | SECOS |
获取价格 |
NPN Plastic Encapsulated Transistor |
|
| 2SD2153 | CJ |
获取价格 |
SOT-89-3L |
|
| 2SD2153_09 | ROHM |
获取价格 |
High gain amplifier transistor (25V, 2A) |
|
| 2SD2153_15 | SECOS |
获取价格 |
NPN Plastic Encapsulated Transistor |
|
| 2SD2153E | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 2A I(C) | SC-62 |
|
| 2SD2153T100/E | ROHM |
获取价格 |
2000mA, 25V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
|
| 2SD2153T100/EU | ROHM |
获取价格 |
2000mA, 25V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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