Datasheet > 2SD2153

2SD2153

更新时间： 2024-01-21 21:13:58

品牌	Logo	应用领域
SECOS		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	341K
描述
NPN Plastic Encapsulated Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SD2153 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.81
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	25 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	1200	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e2	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON

2SD2153 数据手册

2SD2153

2A , 30V

NPN Plastic Encapsulated Transistor

Elektronische Bauelemente

RoHS Compliant Product

A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free

FEATURES

SOT-89

ꢀ

Small Flat Package

General Purpose Application

ꢀ

CLASSIFICATION OF h_FE(1)

Product-Rank

2SD2153-U

2SD2153-V

820~1800

Range

560~1200

MARKING

Collector

Millimeter

REF.

Min.

Max.

4.60

4.25

1.60

2.60

Min.

Max.

PACKAGE INFORMATION

Base

4.40

3.94

1.40

2.25

0.40

0.58

1.50 TYP

3.00 TYP

Package

MPQ

Leader Size

7 inch

0.32

0.35

0.52

0.44

Emitter

1.50

0.89

1.85

1.20

SOT-89

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_A=25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector-Base Voltage

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

Unit

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Pulsed Collector Current ¹

Collector Power Dissipation

Maximum Junction to Ambient

Junction & Storage Temperature

I_CP

0.5

P_C

R_θJA

250

°C / W

°C

T_J, T_STG

150, -55~150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A=25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector Cut-Off Current

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Min.

Typ.

Max. Unit

Test conditions

I_C=50µA, I_E=0

I_C=1mA, I_B=0

I_E=50µA, I_C=0

0.5

1800

0.5

µA V_CB=20V, I_E=0

µA V_EB=5V, I_C=0

V_CE=6V, I_C=500mA

Emitter Cut-Off Current

I_EBO

DC Current Gain¹

h_FE

560

Collector-Emitter Saturation voltage

Transition Frequency

V_CE(sat)

f_T

I_C=1A, I_B=20mA

110

MHz V_CE=10V,I_C=10mA,f=100MHz

pF V_CB=10V, I_E=0, f=1MHz

Collector Output Capacitance

C_OB

Note:

1. Single pulse, PW=10mS

http://www.SeCoSGmbH.com/

Any changes of specification will not be informed individually.

20-Nov-2013 Rev. A

Page 1 of 2

中文翻译

下载PDF

与2SD2153相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD2153_09	ROHM	获取价格	High gain amplifier transistor (25V, 2A)
2SD2153_15	SECOS	获取价格	NPN Plastic Encapsulated Transistor
2SD2153E	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 25V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| SC-62
2SD2153T100/E	ROHM	获取价格	2000mA, 25V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2153T100/EU	ROHM	获取价格	2000mA, 25V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2153T100/UV	ROHM	获取价格	2000mA, 25V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2153T100U	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SC-62, 3
2SD2153T100UW	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SD2153T100V	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SC-62, 3
2SD2153T100VW	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

与2SD2153相关文章

共享储能电站：数据驱动与政策引领下的黄金机遇
2024-06-26

8
US1M数据手册解读：产品特性、替换型号推荐
2024-06-26

2
解析BAV99LT1G手册：参数分析、替换型号推荐
2024-06-26

1
解读BSS138PW数据手册：产品特性、电气参数及替换型号推荐
2024-06-26

3

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SD2153

2SD2153 技术参数

2SD2153 数据手册

与2SD2153相关器件

与2SD2153相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SD2153

2SD2153 技术参数

2SD2153 数据手册

与2SD2153相关器件

与2SD2153相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？