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2SD2153

更新时间： 2024-02-05 08:58:51

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SECOS		放大器晶体管
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2页	341K
描述
NPN Plastic Encapsulated Transistor

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2SD2153 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.81
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	25 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	1200	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e2	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON

2SD2153 数据手册

2SD2153

2A , 30V

NPN Plastic Encapsulated Transistor

Elektronische Bauelemente

RoHS Compliant Product

A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free

FEATURES

SOT-89

ꢀ

Small Flat Package

General Purpose Application

ꢀ

CLASSIFICATION OF h_FE(1)

Product-Rank

2SD2153-U

2SD2153-V

820~1800

Range

560~1200

MARKING

Collector

Millimeter

REF.

Min.

Max.

4.60

4.25

1.60

2.60

Min.

Max.

PACKAGE INFORMATION

Base

4.40

3.94

1.40

2.25

0.40

0.58

1.50 TYP

3.00 TYP

Package

MPQ

Leader Size

7 inch

0.32

0.35

0.52

0.44

Emitter

1.50

0.89

1.85

1.20

SOT-89

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_A=25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector-Base Voltage

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

Unit

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Pulsed Collector Current ¹

Collector Power Dissipation

Maximum Junction to Ambient

Junction & Storage Temperature

I_CP

0.5

P_C

R_θJA

250

°C / W

°C

T_J, T_STG

150, -55~150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A=25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector Cut-Off Current

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Min.

Typ.

Max. Unit

Test conditions

I_C=50µA, I_E=0

I_C=1mA, I_B=0

I_E=50µA, I_C=0

0.5

1800

0.5

µA V_CB=20V, I_E=0

µA V_EB=5V, I_C=0

V_CE=6V, I_C=500mA

Emitter Cut-Off Current

I_EBO

DC Current Gain¹

h_FE

560

Collector-Emitter Saturation voltage

Transition Frequency

V_CE(sat)

f_T

I_C=1A, I_B=20mA

110

MHz V_CE=10V,I_C=10mA,f=100MHz

pF V_CB=10V, I_E=0, f=1MHz

Collector Output Capacitance

C_OB

Note:

1. Single pulse, PW=10mS

http://www.SeCoSGmbH.com/

Any changes of specification will not be informed individually.

20-Nov-2013 Rev. A

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD2153_09	ROHM	获取价格	High gain amplifier transistor (25V, 2A)
2SD2153_15	SECOS	获取价格	NPN Plastic Encapsulated Transistor
2SD2153E	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 25V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| SC-62
2SD2153T100/E	ROHM	获取价格	2000mA, 25V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2153T100/EU	ROHM	获取价格	2000mA, 25V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2153T100/UV	ROHM	获取价格	2000mA, 25V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2153T100U	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SC-62, 3
2SD2153T100UW	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SD2153T100V	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SC-62, 3
2SD2153T100VW	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

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