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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SD2150T100/R
2SD2150T100/R PDF预览

2SD2150T100/R

更新时间： 2024-11-20 13:04:23
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体小信号双极晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
3页 113K
描述
3000mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPT3, SC-62, 3 PIN

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2SD2150T100/R 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-62
包装说明：MPT3, SC-62, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.26
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：20 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：180
JESD-30 代码：R-PSSO-F3JESD-609代码：e2
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN COPPER端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：290 MHzVCEsat-Max：0.5 V
Base Number Matches：1

2SD2150T100/R 数据手册

 浏览型号2SD2150T100/R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SD2150T100/R的Datasheet PDF文件第3页 
Low Frequency Transistor (20V, 3A)  
2SD2150  
zFeatures  
zDimensions(Unit : mm)  
1) Low VCE(sat).  
2SD2150  
VCE(sat) = 0.2V(Typ.)  
+0.2  
−0.1  
4.5  
（IC / IB = 2A / 0.1A）  
2) Excellent current gain characteristics.  
3) Complements the 2SB1424.  
+0.2  
−0.1  
1.5  
1.6 0.1  
(1) (2) (3)  
+0.1  
0.4  
−0.05  
0.5 0.1  
3.0 0.2  
0.4 0.1  
1.5 0.1  
0.4 0.1  
1.5 0.1  
zStructure  
Epitaxial planar type  
NPN silicon transistor  
(1) Base  
ROHM : MPT3  
EIAJ : SC-62  
(2) Collector  
(3) Emitter  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Abbreviated symbol: CF  
∗
Parameter  
Symbol  
Limits  
Unit  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
40  
V
Denotes hFE  
∗
20  
V
6
V
A (DC)  
A (Pulse)  
W
3
Collector current  
IC  
5
1
∗
0.5  
Collector power dissipation  
P
C
2
W
2
∗
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
°C  
Tstg  
−55 to +150  
°C  
1 Single pulse Pw=10ms  
2 Mounted on a 40×40×0.7mm Ceramic substrate.  
∗
∗
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol Min.  
Typ.  
−
Max.  
−
Unit  
V
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
40  
20  
6
I
I
I
C
=50  
=1mA  
=50  
µ
A
−
−
V
C
−
−
V
E
µ
A
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−
−
0.1  
0.1  
0.5  
560  
−
µ
A
A
V
V
CB=30V  
EB=5V  
Emitter cutoff current  
I
−
−
µ
Collector-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
V
−
120  
−
0.2  
−
V
IC/IB=2A/0.1A  
∗
h
−
V
V
V
CE=2V, I  
C
=0.1A  
= −0.5A, f=100MHz  
=0A, f=1MHz  
f
T
290  
25  
MHz  
pF  
CE=2V, I  
E
Transition frequency  
Cob  
−
−
CE=10V, I  
E
Output capacitance  
Measured using pulse current.  
∗
www.rohm.com  
2009.11 - Rev.B  
1/2  
c
○ 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD2150T100/RS ROHM

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 		3000mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2150T100QR ROHM

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 		暂无描述
2SD2150T100QS ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SD2150T100R ROHM

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 		Low Frequency Transistor (20V, 3A)
2SD2150T100RS ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SD2150T100S ROHM

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2SD2150T101/QS ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SD2150T101/R ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SD2150T101/RS ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

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