Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SD1978

2SD1978

更新时间： 2024-02-11 06:42:01

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		晶体小信号双极晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
6页	160K
描述
Silicon NPN Epitaxial, Darlington

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SD1978 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	SC-51, TO-92MOD, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.5
最大集电极电流 (IC)：	1.5 A	集电极-发射极最大电压：	120 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	2000
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	2	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SD1978 数据手册

2SD1978

Silicon NPN Epitaxial, Darlington

REJ03G0799-0200

(Previous ADE-208-1162)

Rev.2.00

Aug.10.2005

Application

•

Low frequency power amplifier

Complementary pair with 2SB1387

Outline

RENESAS Package code: PRSS0003DC-A

(Package name: TO-92 Mod)

1. Emitter

2. Collector

3. Base

I_D

2 kΩ

(Typ)

0.5 kΩ

(Typ)

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

Unit

120

1.5

Collector peak current

Collector power dissipation

Junction temperature

ic _(peak)

P_C

3.0

0.9

°C

150

Storage temperature

Tstg

I_D

–55 to +150

1.5

E to C diode forward current

Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 1 of 5

12 3 4 5 6

下载PDF

与2SD1978相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SD1978RF	HITACHI	1500mA, 120V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR	获取价格
2SD1978RR	HITACHI	Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon	获取价格
2SD1978TZ	RENESAS	Silicon NPN Epitaxial, Darlington	获取价格
2SD1979	KEXIN	Silicon NPN Epitaxial Planar Type	获取价格
2SD1979	PANASONIC	Silicon NPN epitaxial planer type(For low-voltage output amplification)	获取价格
2SD1979	TYSEMI	Low on resistance ron. High forward current transfer ratio hFE.	获取价格