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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SD1980TL
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2SD1980TL

更新时间： 2024-01-27 08:21:10
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 87K
描述
Power Transistor (100V, 2A)

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2SD1980TL 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-63
包装说明：SC-63, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75Factory Lead Time：13 weeks
风险等级：1.12其他特性：BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 0.0857
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：1000JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e2湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：10 W最大功率耗散 (Abs)：10 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Copper (Sn98Cu2)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：80 MHzBase Number Matches：1

2SD1980TL 数据手册

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2SD2195 / 2SD1980 / 2SD1867  
Transistors  
Power Transistor (100V, 2A)  
2SD2195 / 2SD1980 / 2SD1867  
zFeatures  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
1) Darlington connection for high DC current gain.  
2) Built-in resistor between base and emitter.  
3) Built-in damper diode.  
2SD2195  
4.5  
1.6  
1.5  
4) Complements the 2SB1580 / 2SB1316.  
(1)  
(2)  
(3)  
0.4  
zEquivalent circuit  
0.5  
3.0  
0.4  
0.4  
(1) Base  
(2) Collector  
(3) Emitter  
1.5  
1.5  
C
ROHM : MPT3  
EIAJ : SC-62  
B
2SD1980  
6.5  
5.1  
R1  
R2  
2.3  
0.5  
E
R
1
2
3.5kΩ  
300Ω  
B
C
E
: Base  
: Collector  
: Emitter  
R
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
0.75  
0.65  
2.3  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
Limits  
100  
100  
6
Unit  
0.9  
(1)  
2.3  
V
V
(3)  
(2)  
0.5  
1.0  
V
(1) Base  
(2) Collector  
(3) Emitter  
2
A(DC)  
A(Pulse)  
IC  
ROHM : CPT3  
EIAJ : SC-63  
Collector current  
∗1  
∗2  
3
0.5  
2
2SD2195  
Collector  
W
power  
PC  
1
2SD1980  
W(Tc=25°C)  
dissipation  
2SD1867  
10  
1
2.5  
6.8  
∗3  
2SD1867  
W
°C  
°C  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
Tstg  
−55 to +150  
∗
∗
∗
1
2
3
Single pulse Pw=100ms  
When mounted on a 40 x 40 x 0.7 mm ceramic board.  
Printed circuit board, 1.7mm thick, collector plating 100mm2 or larger.  
0.65Max.  
0.5  
( )  
2
( )  
3
( )  
1
2.54  
2.54  
1.05  
0.45  
Taping specifications  
(1) Emitter  
(2) Collector  
(3) Base  
ROHM : ATV  
Rev.B  
1/3  
1234

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2SD1980TL 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MJD112T4 STMICROELECTRONICS

功能相似

 Complementary power Darlington transistors
2SD1980 ROHM

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 Power Transistor (100V , 2A)

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