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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SD1985PQ
2SD1985PQ PDF预览

2SD1985PQ

更新时间： 2024-11-24 13:04:23
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC /
页数 文件大小 规格书
2页 49K
描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, FULL PACK-3

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2SD1985PQ 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SFM
包装说明：TO-220, FULL PACK-3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.77
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：70
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：30 MHz
Base Number Matches：1

2SD1985PQ 数据手册

 浏览型号2SD1985PQ的Datasheet PDF文件第2页 
Power Transistors  
2SD1985, 2SD1985A  
Silicon NPN triple diffusion planar type  
For power amplification  
Complementary to 2SB1393 and 2SB1393A  
Unit: mm  
Features  
■
●
High forward current transfer ratio hFE which has satisfactory linearity  
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
10.0±0.2  
5.5±0.2  
4.2±0.2  
2.7±0.2  
●
●
Full-pack package which can be installed to the heat sink with  
one screw  
φ3.1±0.1  
Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)  
■
C
Parameter  
Symbol  
Ratings  
Unit  
Collector to  
2SD1985  
2SD1985A  
2SD1985  
60  
1.3±0.2  
VCBO  
V
1.4±0.1  
base voltage  
Collector to  
80  
+0.2  
–0.1  
0.5  
60  
0.8±0.1  
VCEO  
V
emitter voltage 2SD1985A  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
80  
VEBO  
ICP  
6
V
A
A
2.54±0.25  
5
5.08±0.5  
1
2
3
IC  
3
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
Collector power TC=25°C  
25  
PC  
W
dissipation  
Ta=25°C  
2
TO–220 Full Pack Package(a)  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
Tstg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics (T =25˚C)  
■
C
Parameter  
Collector cutoff  
Symbol  
ICES  
Conditions  
min  
typ  
max  
200  
200  
300  
300  
1
Unit  
2SD1985  
2SD1985A  
2SD1985  
2SD1985A  
VCE = 60V, IB = 0  
µA  
current  
VCE = 80V, IB = 0  
VCE = 30V, IB = 0  
VCE = 60V, IB = 0  
VEB = 6V, IC = 0  
Collector cutoff  
current  
ICEO  
IEBO  
VCEO  
µA  
mA  
V
Emitter cutoff current  
Collector to emitter 2SD1985  
voltage 2SD1985A  
60  
80  
70  
10  
IC = 30mA, IB = 0  
*
hFE1  
VCE = 4V, IC = 1A  
250  
Forward current transfer ratio  
Base to emitter voltage  
hFE2  
VBE  
VCE = 4V, IC = 3A  
VCE = 4V, IC = 3A  
1.8  
1.2  
V
V
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
IC = 3A, IB = 0.375A  
VCE = 5V, IC = 0.5A, f = 10MHz  
Transition frequency  
Turn-on time  
Storage time  
Fall time  
fT  
ton  
tstg  
tf  
30  
0.5  
2.5  
0.4  
MHz  
µs  
IC = 1A, IB1 = 0.1A, IB2 = – 0.1A,  
VCC = 50V  
µs  
µs  
*hFE1 Rank classification  
Rank  
hFE1  
Q
P
70 to 150  
120 to 250  
Note: Ordering can be made by the common rank (PQ rank hFE = 70 to 250) in the rank classification.  
1
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | SOT-186
2SD1985R ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | SOT-186
2SD1986 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 60V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220AB
2SD1986C7 ROHM

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