Datasheet > 晶体管 > 其他晶体管> 2SD1985A

2SD1985A

更新时间： 2025-08-08 07:31:39

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	104K
描述
Silicon NPN Power Transistors

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SD1985A 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

2SD1985A 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD1985 2SD1985A

DESCRIPTION

·With TO-220Fa package

·High forward current transfer ratio h_FE

which has satisfactory linearity

·Low collector saturation voltage

·Complement to type 2SB1393 /1393A

APPLICATIONS

·For power amplification

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-220Fa) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

UNIT

2SD1985

2SD1985A

2SD1985

2SD1985A

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current (DC)

Collector current-peak

Open collector

I_CM

T_C=25℃

T_a=25℃

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_j

T_stg

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与2SD1985A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD1985AO	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| SOT-186
2SD1985AP	ISC	获取价格	Transistor
2SD1985APQ	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SD1985AQ	ISC	获取价格	Transistor
2SD1985AR	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| SOT-186
2SD1985O	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| SOT-186
2SD1985P	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| SOT-186
2SD1985PQ	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SD1985Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| SOT-186
2SD1985R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| SOT-186