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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SD1991A-SZ
2SD1991A-SZ PDF预览

2SD1991A-SZ

更新时间： 2024-11-27 13:04:23
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 52K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

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2SD1991A-SZ 技术参数

生命周期：Active包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.78
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：160JESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SD1991A-SZ 数据手册

 浏览型号2SD1991A-SZ的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SD1991A-SZ的Datasheet PDF文件第3页 
Transistor  
2SD1991A  
Silicon NPN epitaxial planer type  
For general amplification  
Unit: mm  
Complementary to 2SB1320A  
6.9±0.1  
4.0  
2.5±0.1  
1.05  
±0.05  
(1.45)  
0.8  
0.7  
Features  
High foward current transfer ratio hFE  
■
●
.
●
●
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Allowing supply with the radial taping.  
.
0.65 max.  
0.45+–00..015  
2.5±0.5 2.5±0.5  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
■
1
2
3
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICP  
Ratings  
Unit  
V
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
60  
50  
V
Note: In addition to the  
lead type shown in  
1:Emitter  
2:Collector  
7
V
the upper figure, the 3:Base  
200  
mA  
mA  
mW  
˚C  
type as shown in  
the lower figure is  
also available.  
MT1 Type Package  
IC  
100  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
400  
Tj  
150  
Tstg  
–55 ~ +150  
˚C  
1.2±0.1  
0.65  
max.  
+
0.1  
0.45–0.05  
(HW type)  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
Unit  
VCB = 20V, IE = 0  
1
1
µA  
µA  
V
Collector cutoff current  
ICEO  
VCE = 20V, IB = 0  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC = 10µA, IE = 0  
60  
50  
7
IC = 2mA, IB = 0  
V
IE = 10µA, IC = 0  
V
*
hFE1  
VCE = 10V, IC = 2mA  
VCE = 2V, IC = 100mA  
IC = 100mA, IB = 10mA  
VCB = 10V, IE = –2mA, f = 200MHz  
VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz  
160  
90  
460  
0.3  
Forward current transfer ratio  
hFE2  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
0.1  
150  
3.5  
V
MHz  
pF  
Transition frequency  
fT  
Collector output capacitance  
Cob  
*hFE1 Rank classification  
Rank  
hFE1  
Q
R
S
160 ~ 260  
210 ~ 340  
290 ~ 460  
1
123

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与2SD1991A-SZ相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD1992A PANASONIC

获取价格

 		Silicon NPN epitaxial planer type
2SD1992A-HW PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SD1992AQ ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-71
2SD1992AR ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-71
2SD1992AS ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-71
2SD1992A-SZ PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SD1992Q PANASONIC

获取价格

 		Transistor
2SD1992S PANASONIC

获取价格

 		Transistor
2SD1993 PANASONIC

获取价格

 		Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency and low-noise amplification)
2SD1993-HW PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

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