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2SD1978

更新时间： 2024-01-25 15:46:12

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瑞萨 - RENESAS		晶体小信号双极晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
6页	160K
描述
Silicon NPN Epitaxial, Darlington

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2SD1978 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	SC-51, TO-92MOD, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.5
最大集电极电流 (IC)：	1.5 A	集电极-发射极最大电压：	120 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	2000
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	2	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SD1978 数据手册

2SD1978

Electrical Characteristics

(Ta = 25°C)

Item

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Min

120

Typ

—

Max

—

Unit

Test conditions

I_C= 0.1 mA, I_E= 0

Collector to base breakdown voltage

Collector to emitter breakdown voltage

Emitter to base breakdown voltage

Collector cutoff current

—

I_C= 10 mA, R_BE= ∞

I_E= 50 mA, I_C= 0

—

1.0

µA

V_CB= 100 V, I_E= 0

V_CE= 100 V, R_BE= ∞

V_CE= 3 V, I_C= 1 A*¹

I_C= 1 A, I_B= 1 mA*¹

I_C= 1.5 A, I_B= 1.5 mA*¹

I_C= 1 A, I_B= 1 mA*¹

I_C= 1.5 A, I_B= 1.5 mA*¹

I_D= 1.5 A*¹

I_CEO

—

DC current transfer ratio

h_FE

2000

—

30000

1.5

2.0

2.5

3.0

Collector to emitter saturation voltage

V_CE(sat)1

V_CE(sat)2

V_BE(sat)1

V_BE(sat)2

V_D

—

Base to emitter saturation voltage

—

E to C diode forward voltage

Note: 1. Pulse test

—

Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 2 of 5

123 4 5 6

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2SD1978 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2SD1978	HITACHI	功能相似	Silicon NPN Epitaxial, Darlington

与2SD1978相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD1978RF	HITACHI	获取价格	1500mA, 120V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1978RR	HITACHI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD1978TZ	RENESAS	获取价格	Silicon NPN Epitaxial, Darlington
2SD1979	KEXIN	获取价格	Silicon NPN Epitaxial Planar Type
2SD1979	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planer type(For low-voltage output amplification)
2SD1979	TYSEMI	获取价格	Low on resistance ron. High forward current transfer ratio hFE.
2SD1979G	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS CO
2SD1979GS	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS CO
2SD1979GT	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS CO
2SD1979GTL	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS CO