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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.69 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 2 A | 配置： | DARLINGTON |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 10000 | JESD-609代码： | e0 |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 10 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1980F5B | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 100V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-252 |
|
| 2SD1980F5C | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 100V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-252 |
|
| 2SD1980TL | ROHM |
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Power Transistor (100V, 2A) |
|
| 2SD1980TR | ROHM |
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暂无描述 |
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| 2SD1981 | SANYO |
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Driver Applications |
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| 2SD1981-AE | ONSEMI |
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2000mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226 |
|
| 2SD1981-AJ | ONSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226 |
|
| 2SD1984 | ETC |
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| 2SD1985 | PANASONIC |
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Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification) |
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| 2SD1985 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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