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2SD1979

更新时间： 2024-01-03 06:30:38

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描述
Low on resistance ron. High forward current transfer ratio hFE.

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2SD1979 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-70
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.78
最大集电极电流 (IC)：	0.3 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	800
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	80 MHz	Base Number Matches：	1

2SD1979 数据手册

SMD Type

TransistIoCrs

Product specification

2SD1979

Features

Low on resistance ron.

High forward current transfer ratio hFE.

1 Emitter

2 Base

3 Collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

Unit

Collector current

300

Peak collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

I^CP

500

P^C

150

T^j

150

T^stg

-55 to +150

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

V^CEO

V^BE

Testconditons

I^C= 1 mA, I^B= 0

Min

Typ

0.6

Max

Unit

Collector-emitter voltage

Base-emitter voltage

V^CE= 2 V, I^C= 4 mA

V^CB= 50 V, I^E= 0

V^EB= 25 V, I^C= 0

V^CE= 2 V, I^C= 4 mA

Collector-base cutoff current

Collector-emitter cutoff current

Forward current transfer ratio

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

I^CBO

I^CEO

h^FE

ìA

500

2500

0.1

V^CE(sat)I^C= 30 mA, I^B= 3 mA

f^T

V^CB= 6 V, I^E= -4 mA, f = 200 MHz

V^CB= 10 V, I^E= 0, f = 1 MHz

MHz

Collector output capacitance

Cob

4.5

ON resistance

R^on

hFE Classification

Marking

Rank

h^FE

500 1500

800 2500

http://www.twtysemi.com

1 of 1

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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