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2SD1980F5

更新时间： 2024-01-27 20:33:21
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 65K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

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2SD1980F5 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.69Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：2 A配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：10000JESD-609代码：e0
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：10 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches：1

2SD1980F5 数据手册

  
2SD2195 / 2SD1980 / 2SD1867 / 2SD2398  
Transistors  
Power Transistor (100V , 2A)  
2SD2195 / 2SD1980 / 2SD1867 / 2SD2398  
!Features  
!External dimensions (Units : mm)  
1) Darlington connection for high DC current gain.  
2) Built-in resistor between base and emitter.  
3) Built-in damper diode.  
2SD2195  
4.0  
1.0  
2.5  
0.5  
(
)
1
(
)
2
3
4) Complements the 2SB1580 / 2SB1316 / 2SB1567.  
(
)
(1) Base(Gate)  
(2) Collector(Drain)  
(3) Emitter(Source)  
ROHM : MPT3  
EIAJ : SC-62  
!Absolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
V
V
A(DC)  
A(Pulse) ∗1  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
100  
100  
6
2SD1980  
2
3
2
Collector current  
2SD2195  
IC  
5.5  
1.5  
W
∗2  
1
0.9  
Collector  
power  
dissipation  
2SD1980  
2SD1867  
2SD2398  
W(Tc=25°C)  
10  
1
2
20  
P
C
C0.5  
W
∗3  
(1) Base(Gate)  
(2) Collector(Drain)  
(3) Emitter(Source)  
W(Tc=25°C)  
0.8Min.  
1.5  
Junction temperature  
Storage temperature  
2.5  
Tj  
Tstg  
150  
−55 ∼ +150  
°C  
°C  
ROHM : CPT3  
EIAJ : SC-63  
9.5  
∗
∗
∗
1
2
3
Single pulse Pw  
When mounted on a 40 x 40 x 0.7 mm ceramic board.  
Printed circuit board, 1.7mm thick, collector plating 100mm2 or larger.  
=100ms  
2SD1867  
2.5  
6.8  
!Packaging specifications and hFE  
0.65Max.  
Type  
Package  
2SD2195 2SD1980 2SD1867 2SD2398  
MPT3 CPT3 ATV TO-220FN  
1k ∼ 10k 1k ∼ 10k 1k ∼ 10k 1k ∼ 10k  
0.5  
hFE  
( )  
( ) ( )  
1
2 3  
Marking  
Code  
Basic ordering unit (pieces)  
DP  
∗
−
TL  
2500  
−
TV2  
−
−
500  
(1) Emitter  
(2) Collector  
(3) Base  
2.54 2.54  
T100  
1000  
1.05  
0.45  
ROHM : ATV  
2SD2398  
2500  
Taping specifications  
∗
Denotes hFE  
10.0  
4.5  
!Circuit schematic  
2.8  
3.2  
φ
C
1.2  
1.3  
0.8  
B
0.75  
( )  
(1) Base Gate  
2.54  
2.54  
)
2.6  
R
1
R2  
(
) (  
) (  
)
1
2
(
3
(
)
)
(2) Collector Drain  
E
(
)
(
3
)
(
1
2
(3) Emitter Source  
R
1
2
3.5kΩ  
300Ω  
B
C
E
: Base  
: Collector  
: Emitter  
R
ROHM : TO-220FN  
!Electrical characteristics (Ta = 25°C)  
Parameter  
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Collector cutoff current  
100  
100  
−
−
−
−
−
−
−
−
10  
3
1.5  
10000  
−
V
V
µA  
mA  
V
I
I
V
V
I
C
C
=
=
50µA  
5mA  
I
I
V
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
CB  
=
=
100V  
5V  
Emitter cutoff current  
−
EB  
Collector-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
Output capacitance  
−
1000  
C
=
CE  
CB  
1A , I  
B
=
C =  
1mA  
1A  
0A , f = 1MHz  
∗
∗
h
−
25  
−
pF  
V
V
=
=
2V , I  
10V , I  
Cob  
−
E
=
∗
Measured using pulse current.  
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD1980F5A ETC

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2SD1980F5B ETC

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2SD1980TL ROHM

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 		暂无描述
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 		Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification)

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