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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SD1979GS
2SD1979GS PDF预览

2SD1979GS

更新时间： 2024-01-14 12:38:59
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC /
页数 文件大小 规格书
2页 40K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN

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2SD1979GS 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-70
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.78
最大集电极电流 (IC)：0.3 A集电极-发射极最大电压：20 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：800
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：80 MHzBase Number Matches：1

2SD1979GS 数据手册

 浏览型号2SD1979GS的Datasheet PDF文件第2页 
Transistor  
2SD1979  
Silicon NPN epitaxial planer type  
For low-voltage output amplification  
For muting  
Unit: mm  
For DC-DC converter  
2.1±0.1  
0.425  
1.25±0.1  
0.425  
Features  
Low ON resistance Ron.  
■
1
●
●
High foward current transfer ratio hFE  
.
3
●
S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and  
automatic insertion through the tape packing and the magazine  
packing.  
2
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICP  
Ratings  
Unit  
V
0.2±0.1  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
50  
20  
V
25  
V
1:Base  
2:Emitter  
3:Collector  
EIAJ:SC–70  
S–Mini Type Package  
500  
mA  
mA  
mW  
˚C  
IC  
300  
Marking symbol : 3W  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
150  
Tj  
150  
Tstg  
–55 ~ +150  
˚C  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
Unit  
µA  
µA  
V
Collector cutoff current  
Emitter cutoff current  
V
CB = 50V, IE = 0  
1
1
IEBO  
VEB = 25V, IC = 0  
Collector to emitter voltage  
Forward current transfer ratio  
VCEO  
IC = 1mA, IB = 0  
20  
*1  
hFE  
VCE = 2V, IC = 4mA  
500  
2500  
0.1  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
IC = 30mA, IB = 3mA  
VCE = 2V, IC = 4mA  
V
V
Base to emitter voltage  
Transition frequency  
Collector output capacitance  
ON resistanse  
VBE  
fT  
0.6  
80  
VCB = 6V, IE = –4mA, f = 200MHz  
VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz  
MHz  
pF  
Cob  
4.5  
1.0  
*2  
Ron  
Ω
*1  
*2  
h
Rank classification  
R
on  
Measurement circuit  
FE  
1kΩ  
Rank  
hFE  
S
T
IB=1mA  
500 ~ 1500 800 ~ 2500  
3WS 3WT  
f=1kHz  
V=0.3V  
VB  
VA  
Marking Symbol  
VV  
VB  
Ron=  
✕1000(Ω)  
VA–VB  
1
12

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