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2SD1908

更新时间： 2024-02-04 02:49:26
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三洋 - SANYO 晶体显示器晶体管开关输出应用
页数 文件大小 规格书
3页 118K
描述
CRT Display Horizontal Deflection Output Applications

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2SD1908 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220MF
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.84
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：7 A
集电极-发射极最大电压：150 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：10JESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：50 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：40 MHzBase Number Matches：1

2SD1908 数据手册

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Ordering number : EN3971  
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor  
2SD1908  
CRT Display Horizontal Deflection Output  
Applications  
Features  
Package Dimensions  
• Fast switching speed.  
• Especially suited for use in high-definition CRT display :  
unit: mm  
2049B-TO-220MF  
V
CC  
=6 to 12V.  
• Wide ASO and highly resistant to breakdown.  
[2SD1908]  
220MF  
Specifications  
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C  
Parameter  
Collector-to-Base Voltage  
Collector-to-Emitter Voltage  
Emitter-to-Base Voltage  
Collector Current  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
V
V
330  
150  
6
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
V
I
I
I
7
A
C
Collector Current (Pulse)  
Base Current  
12  
A
CP  
B
4
A
Collector Dissipation  
P
1.65  
50  
W
W
°C  
°C  
C
Tc=25°C  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Tj  
150  
Tstg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics at Ta=25°C  
Ratings  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
=200V, I =0  
Unit  
min  
typ  
40  
max  
Collector Cutoff Current  
Emitter Cutoff Current  
DC Current Gain  
I
I
V
V
V
V
V
100  
100  
µA  
CBO  
CB  
EB  
CE  
CE  
CE  
E
=5V, I =0  
mA  
EBO  
C
h
h
=1V, I =1A  
15  
10  
10  
FE(1)  
FE(2)  
C
=1V, I =5A  
50  
C
Gain-Bandwidth Product  
C-E Saturation Voltage  
B-E Saturation Voltage  
C-B Breakdown Voltage  
C-E Breakdown Voltage  
E-B Breakdown Voltage  
Fall Time  
f
T
=10V, I =0.5A  
MHz  
V
C
V
V
V
V
V
I =5A, I =0.5A  
1
CE(sat)  
C
B
I =5A, I =0.5A  
1.2  
V
BE(sat)  
C
B
I =1mA, I =0  
330  
150  
6
V
(BR)CBO  
(BR)CEO  
(BR)EBO  
C
E
I =1mA, R =∞  
V
C
BE  
I =1mA, I =0  
V
E
C
t
f
I =5A, I 1=–I 2=0.5A  
0.5  
µs  
C
B
B
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Bussiness Headquarters  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110 JAPAN  
11697YK (KOTO) 8-0537 No.3971-1/3  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD1909 ETC

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