2SD1306NETL

更新时间： 2024-11-02 13:04:23

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瑞萨 - RENESAS		晶体小信号双极晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
6页	71K
描述
700mA, 15V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPAK-3

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2SD1306NETL 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.19	最大集电极电流 (IC)：	0.7 A
集电极-发射极最大电压：	15 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	400	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
Base Number Matches：	1

2SD1306NETL 数据手册

2SD1306

Silicon NPN Epitaxial

REJ03G0784-0200

(Previous ADE-208-1144)

Rev.2.00

Aug.10.2005

Application

Low frequency amplifier, Muting

Outline

RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A

(Package name: MPAK)

1. Emitter

2. Base

3. Collector

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Symbol

Ratings

Unit

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

0.7

Collector power dissipation

Junction temperature

P_C

150

°C

150

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 1 of 5

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