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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.81 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 25 A | 集电极-发射极最大电压： | 350 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 6 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 200 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 200 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 6 MHz |
| VCEsat-Max： | 1 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1314 | TOSHIBA |
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NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| 2SD1314_06 | TOSHIBA |
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High Power Switching Applications |
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| 2SD1315 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | SOT-186 |
|
| 2SD1315P | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | SOT-186 |
|
| 2SD1315Q | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | SOT-186 |
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| 2SD1316 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 30V V(BR)CEO | 2A I(C) | SOT-186 |
|
| 2SD1316H | PANASONIC |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 |
|
| 2SD1316P | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 30V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-221VAR |
|
| 2SD1316Q | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 30V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-221VAR |
|
| 2SD1316R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 30V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-221VAR |
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