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2SD1319Q

更新时间: 2024-02-02 00:02:19
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其他 - ETC 晶体晶体管
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2页 174K
描述
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-221VAR

2SD1319Q 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.84最大集电极电流 (IC):2 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE
最小直流电流增益 (hFE):1000JESD-30 代码:R-PSSO-G2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE晶体管元件材料:SILICON
VCEsat-Max:2.5 VBase Number Matches:1

2SD1319Q 数据手册

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