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2SD1309M

更新时间： 2024-11-02 20:06:23

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无锡固电 - ISC		/
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2页	239K
描述
Transistor

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2SD1309M 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

2SD1309M 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

2SD1309

DESCRIPTION

·High DC Current Gain

:h_FE= 2000(Min) @ I_C= 3A

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

:V_CEO(SUS)= 100V (Min)

·Low Collector-Emitter Saturation Voltage-

:V_CE(sat)= 1.5V (Max) @ I_C= 3A

APPLICATIONS

·Designed for audio frequency amplifier and low-speed

switching industrial use.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

VALUE

150

100

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

I_CM

Collector Current-peak

Base Current

I_B

0.8

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

Collector Power Dissipation

@T_a=25℃

1.5

T_j

Junction Temperature

150

-55~150

℃

T_stg

Storage Temperature Range

isc Website：www.iscsemi.cn

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