2SD1308M

更新时间： 2024-11-02 13:04:23

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	65K
描述
暂无描述

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SD1308M 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD1308

DESCRIPTION

·With TO-220 package

·Low collector saturation voltage

·DARLINGTON

·Complement to type 2SB974

APPLICATIONS

·For audio frequency power amplifier and

low speed switching industrial use

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

100

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

I_CM

Collector current-peak

Base current

I_B

0.5

T_C=25℃

T_a=25℃

P_T

Total power dissipation

1.5

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_stg

12 3

中文翻译

下载PDF

与2SD1308M相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD1309	ISC	获取价格	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
2SD1309K	ISC	获取价格	Transistor
2SD1309L	ISC	获取价格	Transistor
2SD1309M	ISC	获取价格	Transistor
2SD1310	ETC	获取价格	NPN Silicon Triple Diffused Transistor Audio Frequency Power Ampllifier
2SD1311	ISC	获取价格	isc Silicon NPN Power Transistor
2SD1312	NEC	获取价格	NPN SILICON TRANSISTOR
2SD1312(0)-T-AZ	RENESAS	获取价格	Bipolar Power Transistors, , /
2SD1312-AZ	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD1312-K	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,