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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 135 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 120 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1312-L | NEC |
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暂无描述 |
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| 2SD1312-L-AZ | NEC |
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暂无描述 |
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| 2SD1312-U | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SD1312-U-AZ | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD1313 | MOSPEC |
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POWER TRANSISTORS(25A,350V,200W) |
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| 2SD1313 | TOSHIBA |
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NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (HIGH POWER AMPLIFIER, SWITCHING APPLICATIONS) |
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| 2SD1313 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SD1314 | TOSHIBA |
获取价格 |
NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
|
| 2SD1314_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
High Power Switching Applications |
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| 2SD1315 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | SOT-186 |
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