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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 75 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 120 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1312-K-AZ | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD1312-L | NEC |
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暂无描述 |
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| 2SD1312-L-AZ | NEC |
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暂无描述 |
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| 2SD1312-U | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SD1312-U-AZ | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD1313 | MOSPEC |
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POWER TRANSISTORS(25A,350V,200W) |
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| 2SD1313 | TOSHIBA |
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NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (HIGH POWER AMPLIFIER, SWITCHING APPLICATIONS) |
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| 2SD1313 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SD1314 | TOSHIBA |
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NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
|
| 2SD1314_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
High Power Switching Applications |
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