Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SD1306NETL-H

2SD1306NETL-H

更新时间： 2024-11-02 12:53:35

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瑞萨 - RENESAS		/
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7页	109K
描述
Silicon NPN Epitaxial

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2SD1306NETL-H 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SC-59A
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.68
最大集电极电流 (IC)：	0.7 A	集电极-发射极最大电压：	15 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	400
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
Base Number Matches：	1

2SD1306NETL-H 数据手册

Preliminary Datasheet

R07DS0280EJ0300

(Previous: REJ03G0784-0200)

Rev.3.00

2SD1306

Silicon NPN Epitaxial

Mar 28, 2011

Application

Low frequency amplifier, Muting

Outline

RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A

(Package name: MPAK)

1. Emitter

2. Base

3. Collector

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Symbol

Ratings

Unit

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

0.7

Collector power dissipation

Junction temperature

P_C

150

°C

150

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

R07DS0280EJ0300 Rev.3.00

Mar 28, 2011

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2SD1306NEUR	HITACHI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MPAK-3
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