Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SD1306NETR-E

2SD1306NETR-E

更新时间： 2024-11-02 13:04:23

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		晶体小信号双极晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
6页	71K
描述
2SD1306NETR-E

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SD1306NETR-E 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	MPAK
包装说明：	MPAK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.19
最大集电极电流 (IC)：	0.7 A	集电极-发射极最大电压：	15 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	400
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
Base Number Matches：	1

2SD1306NETR-E 数据手册

2SD1306

Silicon NPN Epitaxial

REJ03G0784-0200

(Previous ADE-208-1144)

Rev.2.00

Aug.10.2005

Application

Low frequency amplifier, Muting

Outline

RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A

(Package name: MPAK)

1. Emitter

2. Base

3. Collector

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Symbol

Ratings

Unit

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

0.7

Collector power dissipation

Junction temperature

P_C

150

°C

150

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 1 of 5

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与2SD1306NETR-E相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD1306NEUL	HITACHI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MPAK-3
2SD1306NEUR	HITACHI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MPAK-3
2SD1308	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SD1308	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SD1308K	ISC	获取价格	Transistor
2SD1308L	ISC	获取价格	Transistor
2SD1308M	ISC	获取价格	暂无描述
2SD1309	ISC	获取价格	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
2SD1309K	ISC	获取价格	Transistor
2SD1309L	ISC	获取价格	Transistor