Datasheet > 2SD1302S

2SD1302S

更新时间： 2024-11-02 20:26:59

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	77K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, ROHS COMPLIANT, TO-92-B1, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SD1302S 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	ROHS COMPLIANT, TO-92-B1, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.83	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	300
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.6 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

2SD1302S 数据手册

Transistors

2SD1302

Silicon NPN epitaxial planar type

For low-voltage output amplification

For muting

Unit: mm

5.0 0.2

4.0 0.2

For DC-DC converter

■ Features

• Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

• Low ON resistance R_on

0.7 0.1

• High forward current transfer ratio h_FE

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

+0.15

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

Unit

0.45

–0.1

+0.6

2.5

–0.2

2.5

–0.2

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

2 3

1: Emitter

2: Collector

3: Base

0.5

TO-92-B1 Package

Peak collector current

I_CP

600

Collector power dissipation

Junction temperature

P_C

°C

T_j

150

Storage temperature

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CBO

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

I_C= 10 µA, I_E= 0

I_C= 1 mA, I_B= 0

I_E= 10 µA, I_C= 0

V_CB= 25 V, I_E= 0

V_CE= 2 V, I_C= 0.5 A

V_CE= 2 V, I_C= 1 A

100

800



Forward current transfer ratio ^*

h_FE1

h_FE2

200

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)I_C= 0.5 A, I_B= 20 mA

V_BE(sat)I_C= 0.5 A, I_B= 50 mA

0.13

0.40

1.2

f_T

V_CB= 10 V, I_E= −50 mA, f = 200 MHz

V_CB= 10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

200

MHz

Collector output capacitance

C_ob

(Common base, input open circuited)

ON resistanse ^*

R_on

1.0

Ω

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. 1: Pulse measurement

2: Rank classification

3: R_onMeasurement circuit

1 kΩ

Rank

I_B= 1 mA

f = 1 kHz

V = 0.3 V

h_FE1

200 to 350

300 to 500

400 to 800

V_BV_VV_A

V_B

V_A− V_B

R_on

× 1000 (Ω)

Publication date: January 2003

SJC00215BED

12 3

中文翻译

下载PDF

与2SD1302S相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD1302T	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
2SD1303	SWST	获取价格	小信号晶体管
2SD1304	PANASONIC	获取价格	Si NPN Epitaxial Planar
2SD1304Q	PANASONIC	获取价格	Si NPN Epitaxial Planar
2SD1304R	PANASONIC	获取价格	Si NPN Epitaxial Planar
2SD1304S	PANASONIC	获取价格	Si NPN Epitaxial Planar
2SD1304TMG	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 17V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD1304TSK	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 17V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD1306	RENESAS	获取价格	Silicon NPN Epitaxial
2SD1306	HITACHI	获取价格	Silicon NPN Epitaxial

与2SD1302S相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

6
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

3
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

26
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

25

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SD1302S

2SD1302S 技术参数

2SD1302S 数据手册

与2SD1302S相关器件

与2SD1302S相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SD1302S

2SD1302S 技术参数

2SD1302S 数据手册

与2SD1302S相关器件

与2SD1302S相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？