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2SD1302T

更新时间： 2024-11-02 20:26:59

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	77K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, ROHS COMPLIANT, TO-92-B1, 3 PIN

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2SD1302T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.83	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	400	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.6 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

2SD1302T 数据手册

Transistors

2SD1302

Silicon NPN epitaxial planar type

For low-voltage output amplification

For muting

Unit: mm

5.0 0.2

4.0 0.2

For DC-DC converter

■ Features

• Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

• Low ON resistance R_on

0.7 0.1

• High forward current transfer ratio h_FE

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

+0.15

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

Unit

0.45

–0.1

+0.6

2.5

–0.2

2.5

–0.2

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

2 3

1: Emitter

2: Collector

3: Base

0.5

TO-92-B1 Package

Peak collector current

I_CP

600

Collector power dissipation

Junction temperature

P_C

°C

T_j

150

Storage temperature

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CBO

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

I_C= 10 µA, I_E= 0

I_C= 1 mA, I_B= 0

I_E= 10 µA, I_C= 0

V_CB= 25 V, I_E= 0

V_CE= 2 V, I_C= 0.5 A

V_CE= 2 V, I_C= 1 A

100

800



Forward current transfer ratio ^*

h_FE1

h_FE2

200

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)I_C= 0.5 A, I_B= 20 mA

V_BE(sat)I_C= 0.5 A, I_B= 50 mA

0.13

0.40

1.2

f_T

V_CB= 10 V, I_E= −50 mA, f = 200 MHz

V_CB= 10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

200

MHz

Collector output capacitance

C_ob

(Common base, input open circuited)

ON resistanse ^*

R_on

1.0

Ω

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. 1: Pulse measurement

2: Rank classification

3: R_onMeasurement circuit

1 kΩ

Rank

I_B= 1 mA

f = 1 kHz

V = 0.3 V

h_FE1

200 to 350

300 to 500

400 to 800

V_BV_VV_A

V_B

V_A− V_B

R_on

× 1000 (Ω)

Publication date: January 2003

SJC00215BED

12 3

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