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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 17 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 160 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1306 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SD1306 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SD1306 | CJ |
获取价格 |
SOT-23 |
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| 2SD1306_11 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SD1306D | HITACHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), NPN, MPAK-3 |
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| 2SD1306-D | HITACHI |
获取价格 |
SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SD1306-D | RENESAS |
获取价格 |
SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SD1306E | HITACHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), NPN, MPAK-3 |
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| 2SD1306-E | RENESAS |
获取价格 |
SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
|
| 2SD1306ND | HITACHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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