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| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.13 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1306ND | HITACHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD1306NDTL-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SD1306NDTL-H | RENESAS |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SD1306NETL | HITACHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MPAK-3 |
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| 2SD1306NETL | RENESAS |
获取价格 |
700mA, 15V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPAK-3 |
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| 2SD1306NETL-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SD1306NETL-H | RENESAS |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SD1306NETR-E | RENESAS |
获取价格 |
2SD1306NETR-E |
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| 2SD1306NEUL | HITACHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MPAK-3 |
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| 2SD1306NEUR | HITACHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MPAK-3 |
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