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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT-23 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 23 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 290 |
| JEDEC-95代码： | TO-236 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1304TMG | PANASONIC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 17V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD1304TSK | PANASONIC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 17V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD1306 | RENESAS |
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Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SD1306 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SD1306 | CJ |
获取价格 |
SOT-23 |
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| 2SD1306_11 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SD1306D | HITACHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), NPN, MPAK-3 |
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| 2SD1306-D | HITACHI |
获取价格 |
SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SD1306-D | RENESAS |
获取价格 |
SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SD1306E | HITACHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), NPN, MPAK-3 |
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