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2SD1163A

更新时间： 2024-11-30 12:29:19

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NPN Silicon Epitaxial Power Transistor

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2SD1163A 数据手册

2SD1163/2SD1163A

Pb Free Plating Product

NPN Silicon Epitaxial Power Transistor

±0.20

9.90

4.50

±0.

FEATURES:

* Medium Power Linear Switching Applications

3.6

±0.20

1.30

Low collector saturation voltage

TV horizontal deflection output

COLLECTOR

±0.20

2.40

±0.20

1.27

±0.20

1.52

BASE

±0.20

0.80

2.54typ

1. BASE

2. COLLECTOR

3. EMITTER

EMITTER

±0.20

0.50

TO-220C

Package Dimension

Dimensions in Millimeters

Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

300

UNIT

2SD1163

2SD1163A

2SD1163

2SD1163A

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

350

120

150

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

I_CM

Collector current-peak

Collector current-surge

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

I_C(surge)

P_C

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

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