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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.44 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 7 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 150 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 25 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1163A-E | RENESAS |
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暂无描述 |
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| 2SD1164 | ETC |
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| 2SD1164-AZ | RENESAS |
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SILICON POWER TRANSISTOR |
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| 2SD1164K | ETC |
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BJT |
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| 2SD1164K-Z | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-252VAR |
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| 2SD1164L | ETC |
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BJT |
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| 2SD1164L-Z | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-252VAR |
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| 2SD1164M | ETC |
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BJT |
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| 2SD1164M-Z | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-252VAR |
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| 2SD1164-Z | NEC |
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NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MP-3 |
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