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2SC5849

更新时间： 2024-02-04 23:04:49

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瑞萨 - RENESAS		放大器
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9页	203K
描述
Silicon NPN Epitaxial VHF/UHF wide band amplifier

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2SC5849 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-89	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.78	最大集电极电流 (IC)：	0.08 A
基于收集器的最大容量：	1.15 pF	集电极-发射极最大电压：	6 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	90
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.08 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	9000 MHz
Base Number Matches：	1

2SC5849 数据手册

2SC5849

Silicon NPN Epitaxial

VHF/UHF wide band amplifier

REJ03G0759-0100

(Previous ADE-208-1469)

Rev.1.00

Aug.10.2005

Features

Super compact package: MFPAK (1.4 x 0.8 x 0.59 mm)

Outline

RENESAS Package code: PUSF0003ZA-A

(Package name: MFPAK ^R

)

1. Emitter

2. Base

3. Collector

Note: Marking is “WY–“.

*MFPAK is a trademark of Renesas Technology Corp.

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

Unit

6.0

1.5

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

P_C

150

Storage temperature

Tstg

–55 to 150

Rev.1.00 Aug 10, 2005 page 1 of 8

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2SC5850B	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,40V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-323
2SC5850C	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,40V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-323
2SC5850D	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,40V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-323
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