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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SC-89 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.78 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.08 A |
| 基于收集器的最大容量： | 1.15 pF | 集电极-发射极最大电压： | 6 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 90 |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-F3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.08 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 9000 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC5850 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial |
|
| 2SC5850B | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,40V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-323 |
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| 2SC5850C | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,40V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-323 |
|
| 2SC5850D | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,40V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-323 |
|
| 2SC5850LBTL-E | RENESAS |
获取价格 |
100mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SC-70, CMPAK-3 |
|
| 2SC5850LDTL-E | RENESAS |
获取价格 |
100mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SC-70, CMPAK-3 |
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| 2SC5851 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SC5851A | ETC |
获取价格 |
BJT |
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| 2SC5851B | ETC |
获取价格 |
BJT |
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| 2SC5851C | ETC |
获取价格 |
BJT |
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