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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SC5855
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2SC5855

更新时间： 2024-01-03 04:55:48
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管功率双极晶体管开关输出元件局域网
页数 文件大小 规格书
5页 195K
描述
HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR SUPER HIGH RESOLUTION

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2SC5855 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.82Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：10 A
集电极-发射极最大电压：700 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：4.3JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：2 MHz
Base Number Matches：1

2SC5855 数据手册

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2SC5855  
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE  
2SC5855  
HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR  
SUPER HIGH RESOLUTION  
Unit: mm  
DISPLAY, COLOR TV, DIGITAL TV  
HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
High Voltage  
: V  
CBO  
= 1500 V  
= 3 V (max)  
Low Saturation Voltage : V  
CE (sat)  
: t = 0.1 µs (typ.)  
f(2)  
High Speed  
MAXIMUM RATINGS  
(Tc = 25°C)  
CHARACTERISTIC  
SYMBOL  
RATING  
UNIT  
Collector−Base Voltage  
Collector−Emitter Voltage  
Emitter−Base Voltage  
V
V
V
1500  
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
700  
5
10  
DC  
Pulse  
I
C
Collector Current  
A
JEDEC  
JEITA  
―
―
I
20  
CP  
Base Current  
I
B
5
A
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
P
50  
W
°C  
°C  
C
TOSHIBA  
2-16E3A  
T
150  
−55~150  
j
Weight: 5.5 g (typ.)  
Storage Temperature Range  
T
stg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tc = 25°C)  
CHARACTERISTIC  
SYMBOL  
TEST CONDITION  
= 1500 V, I = 0  
Min  
Typ.  
Max  
UNIT  
Collector Cut−off Current  
I
I
V
V
―
―
―
―
1
100  
―
mA  
µA  
V
CBO  
CB  
E
Emitter Cut−off Current  
= 5 V, I = 0  
C
EBO  
EB  
Collector − Emitter Breakdown Voltage  
V
I
C
= 10 mA, I = 0  
700  
28  
6.2  
4.3  
―
―
(BR) CEO  
B
h
h
h
V
CE  
V
CE  
V
CE  
= 5 V, I = 1 A  
―
60  
10  
6.7  
3
FE (1)  
FE (2)  
FE (3)  
C
DC Current Gain  
―
= 5 V, I = 6 A  
―
C
= 5 V, I = 8 A  
―
C
Collector−Emitter Saturation Voltage  
Base−Emitter Saturation Voltage  
Transition Frequency  
V
I
C
I
C
= 8 A, I = 2 A  
―
V
V
CE (sat)  
BE (sat)  
B
V
= 8 A, I = 2 A  
―
1.0  
2
1.4  
―
B
f
V
= 10 V, I = 0.1 A  
―
MHz  
pF  
T
CE  
CB  
C
Collector Output Capacitance  
Storage Time  
C
ob  
V
= 10 V, I = 0, f = 1 MHz  
―
120  
2.8  
―
E
t
t
―
―
stg(1)  
I
f
= 6 , I (end) = 0.8 A  
B1  
= 32 kHz  
CP  
H
µs  
µs  
Fall Time  
t
―
0.2  
―
f(1)  
Switching Time  
Storage Time  
Fall Time  
―
―
2.3  
0.1  
―
―
stg(2)  
I
f
= 5.5 A, I (end) = 0.8 A  
B1  
= 80 kHz  
CP  
H
t
f(2)  
1
2004-5-18  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC5856 TOSHIBA

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 		HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR SUPER HIGH RESOLUTION DISPLAY, COLOR TV, DIGITAL TV HIGH
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 		TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
2SC5862 ETC

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2SC5862B ETC

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 		BJT
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 		BJT
2SC5862D ETC

获取价格

 		BJT
2SC5863 PANASONIC

获取价格

 		Silicon NPN epitaxial planar type
2SC5863Q PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS

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